晶体管阈值电压VT与哪些因素有关？
（1）氧化层厚度x0：氧化层越厚，阈值电压越大
（2）衬底掺杂浓度：衬底掺杂浓度越浓，阈值电压越大
（3）衬底偏置：衬偏Vsb越大，阈值电压越大
（4）栅电极材料：它影响金属半导体功函数差
半导体 semiconductor 相关知识
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转载自www.cnblogs.com/wt-seu/p/12821263.html
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