VLSI设计基础(数字集成电路设计基础)(东南大学) mooc章节测试答案

第一章 概论 第一章测试

1、 问题:摩尔定律将遇到前所未有的挑战,挑战不包含哪个()
选项:
解析: 【互连延时降低,互连能耗减小】

2、 问题:到今年为止,工艺尺寸还在scaling down吗?
选项:
解析: 【是的,目前最新工艺已进展到10nm、7nm】

3、 问题:你认为数字集成电路最重要的三大指标是什么?
选项:
解析: 【速度;
功耗;
面积】

4、 问题:摩尔定律预测单个芯片上的晶体管数目每2年会增加一倍
选项:
解析: 【正确】

5、 问题:VLSI芯片内部处理的是模拟信号
选项:
解析: 【错误】

6、 问题:集成电路行业之所以追求摩尔定律的高速发展,是因为对技术奖进步的追求,最看重的是特征尺寸下降带来的技术提高。
选项:
解析: 【错误】
分析:【成本驱动也是重要因素】

第二章 MOS晶体管原理 第二章测试

1、 问题:下面哪个图是增强型NMOS转移特性曲线
选项:
解析: 【

2、 问题:以下哪个条件是线性区的条件
选项:
解析: 【

3、 问题:MOS晶体管的电学本质:电压控制电流源
选项:
解析: 【正确】

4、 问题:MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比,增大沟道长度L可有效地提高工作频率。
选项:
解析: 【错误】

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