第一章 概论 第一章测试
1、 问题:摩尔定律将遇到前所未有的挑战，挑战不包含哪个（）
选项：
解析： 【互连延时降低，互连能耗减小】
2、 问题:到今年为止，工艺尺寸还在scaling down吗？
选项：
解析： 【是的，目前最新工艺已进展到10nm、7nm】
3、 问题:你认为数字集成电路最重要的三大指标是什么？
选项：
解析： 【速度;
功耗;
面积】
4、 问题:摩尔定律预测单个芯片上的晶体管数目每2年会增加一倍
选项：
解析： 【正确】
5、 问题:VLSI芯片内部处理的是模拟信号
选项：
解析： 【错误】
6、 问题:集成电路行业之所以追求摩尔定律的高速发展，是因为对技术奖进步的追求，最看重的是特征尺寸下降带来的技术提高。
选项：
解析： 【错误】
分析：【成本驱动也是重要因素】
第二章 MOS晶体管原理 第二章测试
1、 问题:下面哪个图是增强型NMOS转移特性曲线
选项：
解析： 【
】
2、 问题:以下哪个条件是线性区的条件
选项：
解析： 【
】
3、 问题:MOS晶体管的电学本质：电压控制电流源
选项：
解析： 【正确】
4、 问题:MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率。
选项：
解析： 【错误】