第四章 存储器系统 Part 3
4.15 辅助存储器
辅助存储器作为主存的后援存储器用来存放当前CPU暂时不用的程序和数据,是外部设备的一种
特点: 容量大, 成本低, 可以脱机保存信息
目前主要分为2类
(1) 磁表面存储器
(2) 光存储器
4.16 磁表面存储器
4.16.1 基本原理
将某些磁性材料均匀地涂敷在载体的表面上, 形成0.3~5 μ m \mu{m} μm的磁层, 将信息记录在磁层上
(利用磁性材料在不同磁场反向下, 会形成两种稳定的剩磁状态记录信息)
4.16.2 名词术语
记录介质
磁层及其所附着的载体
磁带
载体为带状, 一般由聚酯塑料制成
磁盘
载体为盘状, (1) 硬盘 , 由合金材料制成 (2) 软盘, 由塑料制成
磁头
磁表面存储器的读写元件, 由高导磁率材料制成的电磁铁, 绕有读写线圈, 可通不同方向电流
铁芯上有一个缝隙, 用玻璃等非磁性材料填充, 称为**“头隙”**
"读": 利用磁头判别磁盘中的不同磁化状态(磁头磁层发生磁通变化产生感应电动势, 再经放大电路)
"写": 写线圈中通不同方向的脉冲电流, 磁层被磁化成相应极性的磁化单元或磁化位
写磁头
用于写入信息的磁头
读磁头
用于读出信息的磁头
复合磁头
即可写入, 又可读出的磁头
4.16.3 磁记录方式
形成不同写入电流的方式
目的: 在写磁头线圈中加入什么样的写入电流波形, 才能写入所要求的二进制数字信息
归零制(RZ) “return zero”
规则: 记录"1", 加正向写入电流脉冲. 记录"0", 加负向写入电流脉冲, 每写入一个信息, 电流归零
特点: 控制简单, 但记录密度低, 抗干扰能力差
不归零制(NRZ)“not return zero”
规则: 记录"1", 加正向写入电流脉冲. 记录"0", 加负向写入电流脉冲. 但是"见变就翻"的不归零
特点: 抗干扰能力好
不归零-1制(NRZ-1)
规则: 写"1"时, 写入电流改变一次方向. 写"0"时, 写入电流维持不变
特点: 用于低速磁带机
调相制(PM PE)“phase modulation”
规则: 记录"0"时, 写入电流在中间位置"上升"(负到正). 记录"1"时, 写入电流在中间位置"下降"(正到负)
特点: 曼彻斯特码, 用于磁带机
调频制(FM)“frequency modulation”
规则: 写"1"时, 写入电流在中间位置改变一次方向. 写"0"时, 写入电流维持不变
在两位周期交界处, 写入电流总要改变一次方向
特点: 记录"1"时, 翻转频率是记录"0"的两倍, 所以被称为"倍频制"
用于早期单密度磁盘
改进调频制(MFM)“modified frequency modulation”
规则: 写"1"时, 写入电流在中间位置改变一次方向. 写"0"时, 写入电流维持不变
若连续写多个0, 则在两个0周期交界处, 写入电流改变一次方向
特点: 用于双密度磁盘
磁记录方式评价标准
自同步能力
从读出的脉冲信号序列中提取同步时钟的能力
同步信号: 从读出信号中分离数据信息所需的时间基准信号
外同步: 从专门设置用来记录同步信号的磁道中取得
内同步: 直接从读出信号中提取同步信号
NRZ, NRZ-1: 无自同步能力
PM, FM, MFM: 有自同步能力
同 步 能 力 R = 最 小 磁 化 翻 转 间 隔 最 大 磁 化 翻 转 间 隔 同步能力R = \frac{最小磁化翻转间隔}{最大磁化翻转间隔} 同步能力R=最大磁化翻转间隔最小磁化翻转间隔
R F M R_{FM} RFM = 0.5, R P M R_{PM} RPM=0.5, R M F M R_{MFM} RMFM=0.66
编码效率
编 码 效 率 η = 位 密 度 最 大 磁 化 翻 转 密 度 编码效率\eta=\frac{位密度}{最大磁化翻转密度} 编码效率η=最大磁化翻转密度位密度
4.17 磁盘存储器
4.17.1 磁盘分类
4.17.2 逻辑结构
磁盘驱动器
旋转轴驱动部件, 磁头定位部件, 读/写电路, 数据传送电路
磁盘控制器
可控制多台驱动器
任务: 接受主机发送的命令数据, 转化为驱动器的控制命令和数据格式 + 控制驱动器读写操作
盘片
存储信息的介质
盘片组最上面和最下面不做记录作为保护面
4.17.3 结构, 记录格式, 读写(重要)
磁盘编址 = 圆柱面号 + 盘面号 + 扇区号
索引: 磁道的起始位置(在盘面上设置缺口或孔, 通过光敏元件, 每转一圈产生一个索引脉冲和若干个扇标脉冲)
如果有多个驱动器
磁盘编址 = 驱动器号 + 圆柱面号 + 盘面号 + 扇区号
扇段记录格式 = 头空 + 序标 + 数据(512字节) + 校验字 + 尾空
4.17.4 磁盘存储器技术指标
存储容量C
非 格 式 化 容 量 C = n × T × S × B 非格式化容量C = n \times T \times S \times B 非格式化容量C=n×T×S×B
n 为 盘 面 数 , T 为 盘 面 磁 道 数 , S 磁 道 扇 段 数 , B 为 扇 段 字 节 数 ( 512 B ) n为盘面数, T为盘面磁道数, S磁道扇段数, B为扇段字节数(512B) n为盘面数,T为盘面磁道数,S磁道扇段数,B为扇段字节数(512B)
格式化容量为非格式化容量的0.6-0.7
平均存取时间
平 均 存 取 时 间 = 平 均 磁 道 定 位 时 间 + 旋 转 等 待 时 间 + 读 写 操 作 时 间 + 控 制 延 时 时 间 平均存取时间 = 平均磁道定位时间 + 旋转等待时间 + 读写操作时间 + 控制延时时间 平均存取时间=平均磁道定位时间+旋转等待时间+读写操作时间+控制延时时间
旋 转 等 待 时 间 = 磁 盘 旋 转 半 圈 的 时 间 旋转等待时间 = 磁盘旋转半圈的时间 旋转等待时间=磁盘旋转半圈的时间
读 写 操 作 时 间 = 传 输 一 个 扇 区 数 据 所 需 时 间 = 512 B / 数 据 传 输 率 读写操作时间 = 传输一个扇区数据所需时间 = 512B/数据传输率 读写操作时间=传输一个扇区数据所需时间=512B/数据传输率
数据传输率
单位时间内磁盘存储器所能传送的数据量
位密度(线密度)
沿磁道方向单位长度能存储的二进制位数(位/英寸)
道密度
沿磁道径向单位长度的磁道数(道/英寸)
面密度
位密度*道密度